Ультратонкие листы нитрида бора с гексагональной кристаллической решеткой взлетают на новые высоты в мире электроники, предоставляя идеальное решение для будущих электронных компонент. Эксперименты показывают, что этот материал успешно может быть внедрен в сверхбыстрые туннельные транзисторы в качестве барьерного слоя между токопроводящими слоями.
Гибкая электроника также получает новые перспективы благодаря ультратонким слоям нитрида бора, сохраняя свои уникальные свойства даже в одноатомной толщине. Этот материал можно получать методом отшелушивания, обеспечивая точный контроль толщины до одного атома.
Нитрид бора проявляет выдающуюся стабильность в процессе отшелушивания, делая его более предпочтительным по сравнению с другими диэлектриками. Группа ученых из Великобритании активно исследует электронные свойства туннельных диодов с ультратонким нитридом бора в качестве слоя-барьера, и эксперименты показывают эффективность этого материала в уменьшении тока при увеличении толщины слоя.
Ожидается, что объединение нитрида бора с графеном создаст новые многослойные материалы с схожими параметрами кристаллической решетки, но с уникальными электронными свойствами. Научные исследования направлены на поиск подходящего полупроводникового слоистого материала, который позволит создавать инновационные трехмерные наноструктуры с уникальными свойствами в области наноэлектроники.
Эти открытия открывают новые перспективы в наноэлектронике, предоставляя возможность создания высокоэффективных электронных устройств и систем для будущих поколений.
